稀土元素掺杂氮化镓(GaN)的性能与研究进展



活动地点:校本部东区7号楼510会议室

活动时间:2019-10-10 09:30:00

题目:稀土元素掺杂氮化镓(GaN)的性能与研究进展(Structural and optical properties of rare earth doped GaN)

地点:校本部东区7号楼510会议室(材料基因组工程研究院)

时间: 2019年10月10日 9:30-10:30

邀请人:王生浩

报告人简介秋本克洋,博士,于1979年在日本京都大学获博士学位,于1979年到1993年在索尼中央研究院从事蓝光激光及发光二极管材料的研发,是蓝光激光器的研究先驱(2003年“日本経済新聞社刊”出版书籍《蓝光LED和激光器的先驱者》,书中位列了日本在发光二极管(LED)和激光器领域杰出的七位科学家,其中有中村修二、赤崎勇、天野浩、秋本克洋等七位教授)。秋本教授于1993到筑波大学从事教学及科研工作,1998年晋升教授,2012至2014年担任筑波大学理学部部长,现任筑波大学特命教授。发表SCI收录文章205篇,著有半导体相关书籍(章节)专著12本,获得美国授权专利8项,日本授权专利26项,任《Journal of Crystal Growth》期刊客座编辑、《Applied Surface Science》期刊顾问编委、《Japan Journal of Applied Physics》编辑委员。

报告简介稀土元素掺杂的半导体具有优异的光学特性,故其在LED显示、上转换、下转换等领域有很好的应用价值。本报告将介绍铕(Eu)掺杂和铽(Tb)掺杂的氮化镓(GaN)的结构特性、光学性能和缺陷特性,并就基于稀土掺杂的LED器件发光特性展开讨论。

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